muRata - DFE252008U-1R0M=P2

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

DFE252008U-1R0M=P2

Gudeco-Teilenr:

56.25.23

Hersteller:

MURATAPS

Beschreibung

Indukt. SMT (DFE) 1008 (2,5x2,0x1,0mm) 1uH ±20% 3,5A 2,3A -40°C 125°C geschirmt 70mOhm 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	1 uH
Bauform SMT	1008
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT	1,0 mm
Bauteillänge SMT	2,5 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	70 mOhm
Hersteller	muRata
Nennstrom (iSat)	3,5 A
Nennstrom (iTemp)	2,3 A
Serie Induktivitäten	DFE
Technologie Induktivitäten	Multilayer
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	3.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

AUF LAGER: 0

Vsl. verfügbar in KW:25 / 2024

RECHNER

MENGENINFORMATION

VPE: 3000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 2 Wochen

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AUF LAGER:	90.000
Induktivität:	1 uH
Nennstrom (Indukt):	3,2 A
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	42 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	4,3 A
Nennstrom (iTemp):	3,2 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	85 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	2,8 A
Nennstrom (iTemp):	2,1 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	84 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	2,3 A
Nennstrom (iTemp):	1,4 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	54 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	3,8 A
Nennstrom (iTemp):	2,7 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	42 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	3,8 A
Nennstrom (iTemp):	3,2 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000