- GSTM6024P-5R6M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTM6024P-5R6M

Gudeco-Teilenr:

34.84.56

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSTM) (7,0x6,6x2,2mm) 5,6uH ±20% 8000mA 5000mA -40°C 125°C geschirmt 62mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	5,6 uH
Nennstrom (Indukt)	8000 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT	2,2 mm
Bauteillänge SMT	7,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	62 mOhm
Nennstrom (iSat)	8000 mA
Nennstrom (iTemp)	5000 mA
Serie Induktivitäten	GSTM
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	1.500
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:41 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 1500
Mindestmenge (MOQ): 4500
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSTM6024P-5R6M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	5,6 uH
Nennstrom (Indukt):	4500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,3 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	138 mOhm
Nennstrom (iSat):	4500 mA
Nennstrom (iTemp):	3000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	5,6 uH
Nennstrom (Indukt):	6000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,6 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	86 mOhm
Nennstrom (iSat):	6000 mA
Nennstrom (iTemp):	3500 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	5,6 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	54 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	4,1 A
Nennstrom (iTemp):	3,8 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	5,6 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	54 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	4,1 A
Nennstrom (iTemp):	3,8 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000