- GSTM6018P-6R8M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTM6018P-6R8M

Gudeco-Teilenr:

34.84.42

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSTM) (7,0x6,6x1,6mm) 6,8uH ±20% 5500mA 3000mA -40°C 125°C geschirmt 104mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	6,8 uH
Nennstrom (Indukt)	5500 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT	1,6 mm
Bauteillänge SMT	7,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	104 mOhm
Nennstrom (iSat)	5500 mA
Nennstrom (iTemp)	3000 mA
Serie Induktivitäten	GSTM
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:41 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 6000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSTM6018P-6R8M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	6,8 uH
Nennstrom (Indukt):	7000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,2 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	72 mOhm
Nennstrom (iSat):	7000 mA
Nennstrom (iTemp):	4000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	6,8 uH
Nennstrom (Indukt):	3000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	198 mOhm
Nennstrom (iSat):	3000 mA
Nennstrom (iTemp):	2100 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	6,8 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	59 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	3,9 A
Nennstrom (iTemp):	3,5 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	6,8 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	59 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	3,9 A
Nennstrom (iTemp):	3,5 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000