- GSTM6018P-2R2M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTM6018P-2R2M

Gudeco-Teilenr:

34.84.38

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSTM) (7,0x6,6x1,6mm) 2,2uH ±20% 11000mA 6000mA -40°C 125°C geschirmt 35mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	2,2 uH
Nennstrom (Indukt)	11000 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT	1,6 mm
Bauteillänge SMT	7,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	35 mOhm
Nennstrom (iSat)	11000 mA
Nennstrom (iTemp)	6000 mA
Serie Induktivitäten	GSTM
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:41 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 6000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSTM6018P-2R2M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	14000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,2 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	28 mOhm
Nennstrom (iSat):	14000 mA
Nennstrom (iTemp):	7000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	5000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	61 mOhm
Nennstrom (iSat):	5000 mA
Nennstrom (iTemp):	4000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	6500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,3 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	55 mOhm
Nennstrom (iSat):	6500 mA
Nennstrom (iTemp):	4500 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	18 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	6,9 A
Nennstrom (iTemp):	7,1 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	18 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	6,9 A
Nennstrom (iTemp):	7,1 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000