- GSTM5030P-1R2M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTM5030P-1R2M

Gudeco-Teilenr:

34.84.06

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSTM) (5,7x5,2x2,8mm) 1,2uH ±20% 11000mA 6500mA -40°C 125°C geschirmt 16mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	1,2 uH
Nennstrom (Indukt)	11000 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT	2,8 mm
Bauteillänge SMT	5,7 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	16 mOhm
Nennstrom (iSat)	11000 mA
Nennstrom (iTemp)	6500 mA
Serie Induktivitäten	GSTM
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
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Vsl. verfügbar in KW:39 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 6000
WBZ: 16 Wochen

MERKMALSGLEICHE ARTIKEL

Hersteller	Artikelnummer
	GSTM5020P-1R2M
	GSTM5030P-1R2M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	1,2 uH
Nennstrom (Indukt):	11000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,8 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	28 mOhm
Nennstrom (iSat):	11000 mA
Nennstrom (iTemp):	6200 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1,2 uH
Nennstrom (Indukt):	5500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	40 mOhm
Nennstrom (iSat):	5500 mA
Nennstrom (iTemp):	4500 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	4.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1,2 uH
Nennstrom (Indukt):	11000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,8 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	28 mOhm
Nennstrom (iSat):	11000 mA
Nennstrom (iTemp):	6200 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000