- GSTM5018P-R68M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTM5018P-R68M

Gudeco-Teilenr:

34.83.90

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSTM) (5,7x5,2x1,6mm) 0,68uH ±20% 13000mA 9000mA -40°C 125°C geschirmt 14,3mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	0,68 uH
Nennstrom (Indukt)	13000 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT	1,6 mm
Bauteillänge SMT	5,7 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	14,3 mOhm
Nennstrom (iSat)	13000 mA
Nennstrom (iTemp)	9000 mA
Serie Induktivitäten	GSTM
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	3.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:41 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 3000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSTM5018P-R68M
	GSTM5015P-R68M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,68 uH
Nennstrom (Indukt):	13000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,3 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	16,2 mOhm
Nennstrom (iSat):	13000 mA
Nennstrom (iTemp):	7000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,68 uH
Nennstrom (Indukt):	13000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,3 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	16,2 mOhm
Nennstrom (iSat):	13000 mA
Nennstrom (iTemp):	7000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,68 uH
Nennstrom (Indukt):	9000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	24,5 mOhm
Nennstrom (iSat):	9000 mA
Nennstrom (iTemp):	6000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	4.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,68 uH
Nennstrom (Indukt):	14000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,8 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	12 mOhm
Nennstrom (iSat):	14000 mA
Nennstrom (iTemp):	8500 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000