- GSDRK127P-681M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSDRK127P-681M

Gudeco-Teilenr:

34.78.11

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSDRK) (12,5x12,5x8,0mm) 680uH ±20% 1450mA 800mA -40°C 125°C geschirmt 1200mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	680 uH
Nennstrom (Indukt)	1450 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT	8,0 mm
Bauteillänge SMT	12,5 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	1200 mOhm
Nennstrom (iSat)	1450 mA
Nennstrom (iTemp)	800 mA
Serie Induktivitäten	GSDRK
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	500
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:38 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 500
Mindestmenge (MOQ): 1500
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSDRK127P-681M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	680 uH
Nennstrom (Indukt):	980 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	1200 mOhm
Nennstrom (iSat):	980 mA
Nennstrom (iTemp):	690 mA
Serie Induktivitäten:	GSDRK
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	680 uH
Nennstrom (Indukt):	580 mA
Bauform SMT:	4949
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,8 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	1,1 Ohm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	1,1 Ohm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	DS126C2
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	680 uH
Nennstrom (Indukt):	670 mA
Toleranz Induktivität:	±10%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	1,46 Ohm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	400

AUF LAGER:	0
Induktivität:	680 uH
Nennstrom (Indukt):	670 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	1,46 Ohm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	400