- GSDRH73P-680M

PRODUKTINFORMATION

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GSDRH73P-680M

Gudeco-Teilenr:

34.77.12

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSDRH) (7,3x7,3x3,5mm) 68uH ±20% 7300mA 610mA -40°C 125°C geschirmt 520mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	68 uH
Nennstrom (Indukt)	610 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT	3,5 mm
Bauteillänge SMT	7,3 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	520 mOhm
Nennstrom (iSat)	7300 mA
Nennstrom (iTemp)	610 mA
Serie Induktivitäten	GSDRH
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	1.000
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Vsl. verfügbar in KW:40 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 1000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSDRH73P-680M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	1,05 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,55 mm
Bauteillänge SMT:	7,3 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	360 mOhm
Hersteller:	muRataPs
Serie Induktivitäten:	4600
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	820 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,55 mm
Bauteillänge SMT:	7,3 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	510 mOhm
Hersteller:	muRataPs
Serie Induktivitäten:	4500
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	690 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,5 mm
Bauteillänge SMT:	7,3 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	380 mOhm
Nennstrom (iSat):	17 A
Nennstrom (iTemp):	690 mA
Serie Induktivitäten:	GSDRH
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	1,13 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT:	5,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,3 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	280 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	B
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	1.000