- GSDRH127P-680M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSDRH127P-680M

Gudeco-Teilenr:

34.76.79

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSDRH) (12,0x12,0x8,0mm) 68uH ±20% 29A 2100mA -40°C 125°C geschirmt 140mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	68 uH
Nennstrom (Indukt)	2100 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT	8,0 mm
Bauteillänge SMT	12,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	140 mOhm
Nennstrom (iSat)	29 A
Nennstrom (iTemp)	2100 mA
Serie Induktivitäten	GSDRH
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	500
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:40 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 500
Mindestmenge (MOQ): 1500
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSDRH127P-680M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	1,71 A
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	233 mOhm
Hersteller:	muRataPs
Serie Induktivitäten:	4900
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	2,85 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	10,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	93 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	250

AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	1500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	120 mOhm
Nennstrom (iSat):	9000 mA
Nennstrom (iTemp):	1500 mA
Serie Induktivitäten:	GSDRH
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500