- GSDRH125P-330M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSDRH125P-330M

Gudeco-Teilenr:

34.76.37

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSDRH) (12,0x12,0x6,0mm) 33uH ±20% 5500mA 2100mA -40°C 125°C geschirmt 57mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	33 uH
Nennstrom (Indukt)	2100 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT	6,0 mm
Bauteillänge SMT	12,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	57 mOhm
Nennstrom (iSat)	5500 mA
Nennstrom (iTemp)	2100 mA
Serie Induktivitäten	GSDRH
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	500
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:38 / 2024

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Artikel auf Anfrage

MENGENINFORMATION

VPE: 500
Mindestmenge (MOQ): 1500
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSDRH125P-330M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	33 uH
Nennstrom (Indukt):	3 A
Anschlüsse:	2-Anschlüsse
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	64,8 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	64,8 mOhm
Hersteller:	GOTREND
Serie Induktivitäten:	GSDRH
Technologie Induktivitäten:	SMD Wire Wound Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	33 uH
Nennstrom (Indukt):	3,5 A
Toleranz Induktivität:	±20%
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	43 mOhm
Hersteller:	SAMWHA
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	33 uH
Nennstrom (Indukt):	2,5 A
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	128 mOhm
Hersteller:	muRataPs
Serie Induktivitäten:	4900
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	33 uH
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	10,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	53 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	250

AUF LAGER:	0
Induktivität:	33 uH
Nennstrom (Indukt):	3000 mA
Anschlüsse:	2-Anschlüsse
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	64,8 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	64,8 mOhm
Hersteller:	GOTREND
Nennstrom (iSat):	15,5 A
Nennstrom (iTemp):	3000 mA
Serie Induktivitäten:	GSDRH
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500