GOTREND - GNR3012PC-3R3M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GNR3012PC-3R3M

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51.41.36

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GNR) (3,1x3,1x1,2mm) 3,3uH 20% 1700mA -40°C 105°C geschirmt 120mOhm 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	3,3 uH
Toleranz Induktivität	20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	3,1 mm
Bauteilhöhe SMT	1,2 mm
Bauteillänge SMT	3,1 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	120 mOhm
Hersteller	GOTREND
Nennstrom (iSat)	1700 mA
Serie Induktivitäten	GNR
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	105°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:23 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 2000
WBZ: 32 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
GOTREND	GNR3012PC-3R3M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Nennstrom (Indukt):	1050 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	3,1 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	3,1 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	192 mOhm
Nennstrom (iSat):	1050 mA
Nennstrom (iTemp):	1300 mA
Serie Induktivitäten:	GNR
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Nennstrom (Indukt):	1700 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	3,1 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	3,1 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	120 mOhm
Nennstrom (iSat):	1700 mA
Nennstrom (iTemp):	1500 mA
Serie Induktivitäten:	GNR
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Nennstrom (Indukt):	1400 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	3,1 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,5 mm
Bauteillänge SMT:	3,1 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	112 mOhm
Nennstrom (iSat):	1400 mA
Nennstrom (iTemp):	1600 mA
Serie Induktivitäten:	GNR
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000