- GNR3015P-3R3M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GNR3015P-3R3M

Gudeco-Teilenr:

34.72.76

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GNR) (3,1x3,1x1,5mm) 3,3uH ±20% 1400mA 1600mA -40°C 125°C geschirmt 112mOhm 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	3,3 uH
Nennstrom (Indukt)	1400 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	3,1 mm
Bauteilhöhe SMT	1,5 mm
Bauteillänge SMT	3,1 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	112 mOhm
Nennstrom (iSat)	1400 mA
Nennstrom (iTemp)	1600 mA
Serie Induktivitäten	GNR
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
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Vsl. verfügbar in KW:39 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 6000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GNR3015P-3R3M

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AUF LAGER:	34.000
Induktivität:	3,3 uH
Toleranz Induktivität:	20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	3,1 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	3,1 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	120 mOhm
Hersteller:	GOTREND
Nennstrom (iSat):	1700 mA
Serie Induktivitäten:	GNR
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	105°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Nennstrom (Indukt):	1700 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	3,1 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	3,1 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	120 mOhm
Nennstrom (iSat):	1700 mA
Nennstrom (iTemp):	1500 mA
Serie Induktivitäten:	GNR
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Nennstrom (Indukt):	1050 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	3,1 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	3,1 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	192 mOhm
Nennstrom (iSat):	1050 mA
Nennstrom (iTemp):	1300 mA
Serie Induktivitäten:	GNR
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000