- GSTM5018P-4R7M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTM5018P-4R7M

Gudeco-Teilenr:

34.83.84

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSTM) (5,7x5,2x1,6mm) 4,7uH ±20% 4500mA 3000mA -40°C 125°C geschirmt 98mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	4,7 uH
Nennstrom (Indukt)	4500 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT	1,6 mm
Bauteillänge SMT	5,7 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	98 mOhm
Nennstrom (iSat)	4500 mA
Nennstrom (iTemp)	3000 mA
Serie Induktivitäten	GSTM
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	3.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:38 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 3000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSTM5018P-4R7M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	4000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,3 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	118 mOhm
Nennstrom (iSat):	4000 mA
Nennstrom (iTemp):	2700 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	3200 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	115 mOhm
Nennstrom (iSat):	3200 mA
Nennstrom (iTemp):	2500 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	4.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	5000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,8 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	116 mOhm
Nennstrom (iSat):	5000 mA
Nennstrom (iTemp):	2800 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	6000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,8 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	53 mOhm
Nennstrom (iSat):	6000 mA
Nennstrom (iTemp):	4600 mA
Serie Induktivitäten:	GSTM
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	2,7 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,3 mm
Bauteillänge SMT:	5,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIM_P
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	3.500