- GSDRH125P-680M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSDRH125P-680M

Gudeco-Teilenr:

34.76.47

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSDRH) (12,0x12,0x6,0mm) 68uH ±20% 9000mA 1500mA -40°C 125°C geschirmt 120mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	68 uH
Nennstrom (Indukt)	1500 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT	6,0 mm
Bauteillänge SMT	12,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	120 mOhm
Nennstrom (iSat)	9000 mA
Nennstrom (iTemp)	1500 mA
Serie Induktivitäten	GSDRH
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	500
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:39 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 500
Mindestmenge (MOQ): 1500
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSDRH125P-680M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	1,71 A
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	233 mOhm
Hersteller:	muRataPs
Serie Induktivitäten:	4900
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	2,85 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	10,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	93 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	250

AUF LAGER:	0
Induktivität:	68 uH
Nennstrom (Indukt):	2100 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	140 mOhm
Nennstrom (iSat):	29 A
Nennstrom (iTemp):	2100 mA
Serie Induktivitäten:	GSDRH
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500