NIC Components - NPIS52D100MTRF

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

NPIS52D100MTRF

Gudeco-Teilenr:

36.12.79

Hersteller:

NIC

Beschreibung

Indukt. SMT (NPIS_D) (6,0x6,0x2,0mm) 10uH ±20% 1,2A -55°C 125°C geschirmt 124mOhm Reel

Induktivität	10 uH
Nennstrom (Indukt)	1,2 A
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	6,0 mm
Bauteilhöhe SMT	2,0 mm
Bauteillänge SMT	6,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound	124 mOhm
Hersteller	NIC Components
Serie Induktivitäten	NPIS_D
Technologie Induktivitäten	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-55°C
Verpackung	Reel
Verpackungseinheit	3.500
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:39 / 2024

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Artikel auf Anfrage

MENGENINFORMATION

VPE: 3500
Mindestmenge (MOQ): 3500
WBZ: 22 Wochen

MERKMALSGLEICHE ARTIKEL

Hersteller	Artikelnummer
NIC Components	NPIS52D100MTRF

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	2,9 A
Bauform SMT:	2420
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	6,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,5 mm
Bauteillänge SMT:	6,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	56,4 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	56,4 mOhm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	DG6045C
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	2,5 A
Bauform SMT:	2420
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	6,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,8 mm
Bauteillänge SMT:	6,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	80,4 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	80,4 mOhm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	DG6028C
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	3100 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,5 mm
Bauteillänge SMT:	6,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	55,2 mOhm
Nennstrom (iSat):	3100 mA
Nennstrom (iTemp):	2400 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	1000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	6,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	324 mOhm
Nennstrom (iSat):	1000 mA
Nennstrom (iTemp):	1100 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	1900 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,0 mm
Bauteillänge SMT:	6,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	150 mOhm
Nennstrom (iSat):	1900 mA
Nennstrom (iTemp):	1500 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000