NIC Components - NPIS42L220MTRF

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

NPIS42L220MTRF

Gudeco-Teilenr:

46.85.40

Hersteller:

NIC

Beschreibung

Indukt. SMT (NPIS_L) (4,0x4,0x1,2mm) 22uH ±20% 540mA -25°C 120°C geschirmt 480mOhm Reel

Induktivität	22 uH
Nennstrom (Indukt)	540 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT	1,2 mm
Bauteillänge SMT	4,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound	480 mOhm
Hersteller	NIC Components
Serie Induktivitäten	NPIS_L
Technologie Induktivitäten	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich	120°C
Temperatur unterer Bereich	-25°C
Verpackung	Reel
Verpackungseinheit	4.500
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:32 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 4500
Mindestmenge (MOQ): 4500
WBZ: 14 Wochen

MERKMALSGLEICHE ARTIKEL

Hersteller	Artikelnummer
NIC Components	NPIS42L220MTRF

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Nennstrom (Indukt):	590 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,8 mm
Bauteillänge SMT:	4,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	360 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_L
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	120°C
Temperatur unterer Bereich:	-25°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	3.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Nennstrom (Indukt):	500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	4,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	480 mOhm
Nennstrom (iSat):	500 mA
Nennstrom (iTemp):	620 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	4.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Nennstrom (Indukt):	900 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,8 mm
Bauteillänge SMT:	4,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	348 mOhm
Nennstrom (iSat):	900 mA
Nennstrom (iTemp):	720 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Nennstrom (Indukt):	900 mA
Bauform SMT:	1515
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,65 mm
Bauteillänge SMT:	4,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	348 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	348 mOhm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	LQH
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Nennstrom (Indukt):	950 mA
Bauform SMT:	1515
Toleranz Induktivität:	±10%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,3 mm
Bauteillänge SMT:	4,0 mm
Gehäuseschirmung:	ungeschirmt
Gleichstromwiderstand:	221 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	221 mOhm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	LQH
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	250