NIC Components - NPIS27H331KTRF

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

NPIS27H331KTRF

Gudeco-Teilenr:

36.14.19

Hersteller:

NIC

Beschreibung

Indukt. SMT (NPIS_H) (12,5x12,5x8,0mm) 330uH ±10% 950mA -40°C 125°C geschirmt 640mOhm Reel

Induktivität	330 uH
Nennstrom (Indukt)	950 mA
Toleranz Induktivität	±10%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT	8,0 mm
Bauteillänge SMT	12,5 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound	640 mOhm
Hersteller	NIC Components
Serie Induktivitäten	NPIS_H
Technologie Induktivitäten	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	Reel
Verpackungseinheit	400
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:40 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 400
Mindestmenge (MOQ): 400
WBZ: 22 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
NIC Components	NPIS27H331KTRF

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	330 uH
Nennstrom (Indukt):	2000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	600 mOhm
Nennstrom (iSat):	2000 mA
Nennstrom (iTemp):	1200 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	330 uH
Nennstrom (Indukt):	830 mA
Bauform SMT:	4949
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,8 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	495 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	495 mOhm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	DS126C2
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	330 uH
Nennstrom (Indukt):	1400 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	580 mOhm
Nennstrom (iSat):	30 A
Nennstrom (iTemp):	1000 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500