PRODUKTINFORMATION
Herst.-
Teilenr.
NPIM20L100MTRF
Gudeco-Teilenr:
46.76.26
Hersteller:
NIC
Beschreibung
Indukt. SMT (NPIM_L) (2,5x2,0x1,0mm) 10uH ±20% 1,55A -40°C 125°C geschirmt 440mOhm Reel
Induktivität | 10 uH |
---|---|
Nennstrom (Indukt) | 1,55 A |
Toleranz Induktivität | ±20% |
AEC-Q200 J/N | Nein |
Bauteilbreite SMT | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT | 1,0 mm |
Bauteillänge SMT | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung | geschirmt |
Gleichstromwiderstand Wire Wound | 440 mOhm |
Hersteller | NIC Components |
Serie Induktivitäten | NPIM_L |
Technologie Induktivitäten | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich | 125°C |
Temperatur unterer Bereich | -40°C |
Verpackung | Reel |
Verpackungseinheit | 3.000 |
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen! |
AUF LAGER: 0
RECHNER
Artikel auf Anfrage
MENGENINFORMATION
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Hersteller | Artikelnummer |
---|---|
muRata | LQH2HPN100MDRL |
muRata | LQH2HPZ100MDRL |
muRata | 1239AS-H-100M=P2 |
NIC Components | NFP1008M100TR80F |
NIC Components | NPIM20L100MTRF |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 1,55 A |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,0 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand Wire Wound: | 440 mOhm |
Hersteller: | NIC Components |
Serie Induktivitäten: | NPIM_L |
Technologie Induktivitäten: | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | Reel |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 430 mA |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 0,55 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 1,44 Ohm |
Gleichstromwiderstand Wire Wound: | 1,44 Ohm |
Hersteller: | muRata |
Serie Induktivitäten: | LQH |
Technologie Induktivitäten: | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 4.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 430 mA |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Ja |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 0,55 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 1,44 Ohm |
Gleichstromwiderstand Wire Wound: | 1,44 Ohm |
Hersteller: | muRata |
Serie Induktivitäten: | LQH |
Technologie Induktivitäten: | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 4.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 850 mA |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,2 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 460 mOhm |
Gleichstromwiderstand Wire Wound: | 460 mOhm |
Hersteller: | muRata |
Serie Induktivitäten: | DFE252012C |
Technologie Induktivitäten: | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich: | 85°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 800 mA |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 0,9 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | ungeschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 300 mOhm |
Hersteller: | NIC Components |
Nennstrom (iTemp): | 800 mA |
Serie Induktivitäten: | NFP |
Technologie Induktivitäten: | Multilayer |
Temperatur oberer Bereich: | 85°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | Tape&Reel |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 1,55 A |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,0 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand Wire Wound: | 440 mOhm |
Hersteller: | NIC Components |
Serie Induktivitäten: | NPIM_L |
Technologie Induktivitäten: | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | Reel |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 710 mA |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Ja |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 0,9 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 672 mOhm |
Gleichstromwiderstand Wire Wound: | 672 mOhm |
Hersteller: | muRata |
Serie Induktivitäten: | LQH |
Technologie Induktivitäten: | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 830 mA |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Ja |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,1 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 456 mOhm |
Gleichstromwiderstand Wire Wound: | 456 mOhm |
Hersteller: | muRata |
Serie Induktivitäten: | LQH |
Technologie Induktivitäten: | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 2.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 710 mA |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 0,9 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 672 mOhm |
Gleichstromwiderstand Wire Wound: | 672 mOhm |
Hersteller: | muRata |
Serie Induktivitäten: | LQH |
Technologie Induktivitäten: | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,0 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 600 mOhm |
Hersteller: | muRata |
Nennstrom (iSat): | 1,3 A |
Nennstrom (iTemp): | 900 mA |
Serie Induktivitäten: | DFE |
Technologie Induktivitäten: | Multilayer |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,0 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 880 mOhm |
Hersteller: | muRata |
Nennstrom (iSat): | 1,0 A |
Nennstrom (iTemp): | 600 mA |
Serie Induktivitäten: | DFE |
Technologie Induktivitäten: | Multilayer |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 950 mA |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,2 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 480 mOhm |
Hersteller: | muRata |
Nennstrom (iSat): | 1,4 A |
Nennstrom (iTemp): | 950 mA |
Serie Induktivitäten: | DFE |
Technologie Induktivitäten: | Multilayer |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,2 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 399 mOhm |
Hersteller: | GOTREND |
Nennstrom (iSat): | 1600 mA |
Serie Induktivitäten: | GSTC |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 2.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 680 mA |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±30% |
AEC-Q200 J/N: | Nein |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,0 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 689 mOhm |
Gleichstromwiderstand Wire Wound: | 689 mOhm |
Hersteller: | muRata |
Serie Induktivitäten: | DFE252010C |
Technologie Induktivitäten: | Wire Wound |
Temperatur oberer Bereich: | 85°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Bauform SMT: | 1008 |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Ja |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,2 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 530 mOhm |
Hersteller: | muRata |
Nennstrom (iSat): | 11,00 mA |
Nennstrom (iTemp): | 800 mA |
Serie Induktivitäten: | DFE252012P_D |
Technologie Induktivitäten: | Metal alloy |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 180mm Embossed Tape |
Verpackungseinheit: | 3.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 650 mA |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Ja |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,2 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 684 mOhm |
Nennstrom (iSat): | 650 mA |
Nennstrom (iTemp): | 840 mA |
Serie Induktivitäten: | GDLW |
Technologie Induktivitäten: | Shielded SMD Assembly Inductor |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 2.000 |
AUF LAGER: | 0 |
Induktivität: | 10 uH |
Nennstrom (Indukt): | 650 mA |
Toleranz Induktivität: | ±20% |
AEC-Q200 J/N: | Ja |
Bauteilbreite SMT: | 2,0 mm |
Bauteilhöhe SMT: | 1,02 mm |
Bauteillänge SMT: | 2,5 mm |
Gehäuseschirmung: | geschirmt |
Gleichstromwiderstand: | 564 mOhm |
Nennstrom (iSat): | 650 mA |
Nennstrom (iTemp): | 750 mA |
Serie Induktivitäten: | GDLW |
Technologie Induktivitäten: | Shielded SMD Assembly Inductor |
Temperatur oberer Bereich: | 125°C |
Temperatur unterer Bereich: | -40°C |
Verpackung: | 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping |
Verpackungseinheit: | 2.000 |