muRata - DFE252012PD-R33M=P2

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

DFE252012PD-R33M=P2

Gudeco-Teilenr:

56.25.59

Hersteller:

MURATAPS

Beschreibung

Indukt. SMT (DFE) 1008 (2,5x2,0x1,2mm) 0,33uH ±20% 6,0A 4,6A -40°C 125°C geschirmt 23mOhm 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	0,33 uH
Bauform SMT	1008
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT	1,2 mm
Bauteillänge SMT	2,5 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	23 mOhm
Hersteller	muRata
Nennstrom (iSat)	6,0 A
Nennstrom (iTemp)	4,6 A
Serie Induktivitäten	DFE
Technologie Induktivitäten	Multilayer
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	3.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

AUF LAGER: 0

Vsl. verfügbar in KW:36 / 2024

RECHNER

MENGENINFORMATION

VPE: 3000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 18 Wochen

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,33 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	21 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	6,8 A
Nennstrom (iTemp):	4,8 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,33 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	29 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	5,7 A
Nennstrom (iTemp):	3,8 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,33 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	19 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	7,6 A
Nennstrom (iTemp):	5,1 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,33 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	21 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	6,8 A
Nennstrom (iTemp):	4,8 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,33 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	29 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	5,7 A
Nennstrom (iTemp):	3,8 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000