GOTREND - GBL160808P-1R0M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GBL160808P-1R0M

Gudeco-Teilenr:

46.99.58

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GBL) 0603 (1,6x0,8x0,8mm) 1,0uH ±20% -40°C 125°C geschirmt 600mOhm Tape&Reel

Induktivität	1,0 uH
Nennstrom (Indukt)	25 mA
Bauform SMT	0603
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	0,8 mm
Bauteilhöhe SMT	0,8 mm
Bauteillänge SMT	1,6 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	600 mOhm
Hersteller	GOTREND
Serie Induktivitäten	GBL
Technologie Induktivitäten	Multilayer
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	Tape&Reel
Verpackungseinheit	4.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

AUF LAGER: 0

Vsl. verfügbar in KW:37 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 4000
Mindestmenge (MOQ): 20000
WBZ: 20 Wochen

MERKMALSGLEICHE ARTIKEL

Hersteller	Artikelnummer
GOTREND	GBL160808P-1R0M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	20
Induktivität:	1,0 uH
Nennstrom (Indukt):	1,6 A
Bauform SMT:	0603
Anschlüsse:	Einzel
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	0,8 mm
Bauteilhöhe SMT:	0,8 mm
Bauteillänge SMT:	1,6 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	144 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	144 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	2,0 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Gurtabschnitt
Verpackungseinheit:	20

AUF LAGER:	20
Induktivität:	1,0 uH
Nennstrom (Indukt):	1,7 A
Bauform SMT:	0603
Anschlüsse:	Einzel
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	0,8 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	1,6 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	128 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	128 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	2,1 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Gurtabschnitt
Verpackungseinheit:	20

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1,0 uH
Nennstrom (Indukt):	2,1 A
Bauform SMT:	0603
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	0,8 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	1,6 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	128 mOhm
Hersteller:	muRataPs
Nennstrom (iSat):	2,1 A
Nennstrom (iTemp):	1,7 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1,0 uH
Nennstrom (Indukt):	950 mA
Bauform SMT:	0603
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	0,8 mm
Bauteilhöhe SMT:	0,8 mm
Bauteillänge SMT:	1,6 mm
Gehäuseschirmung:	ungeschirmt
Gleichstromwiderstand:	250 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	360 mA
Nennstrom (iTemp):	950 mA(Ambient temp.85?) 630 mA(Ambient temp.125?) 10 mA(Ambient temp.150?)
Serie Induktivitäten:	LQM
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	4.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1,0 uH
Bauform SMT:	0603
Toleranz Induktivität:	±10%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	0,8 mm
Bauteilhöhe SMT:	0,8 mm
Bauteillänge SMT:	1,6 mm
Gehäuseschirmung:	ungeschirmt
Gleichstromwiderstand:	600 mOhm
Gütekennzahl Q:	35
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	25 mA
Nennstrom (iTemp):	25 mA
Serie Induktivitäten:	LQM
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Paper Taping
Verpackungseinheit:	4.000