NIC Components - NPIS27H221MTRF

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

NPIS27H221MTRF

Gudeco-Teilenr:

53.99.36

Hersteller:

NIC

Beschreibung

Indukt. SMT (NPIS_H) (12,5x12,5x8,0mm) 220uH ±20% 1160mA -40°C 125°C geschirmt 390mOhm Reel

Induktivität	220 uH
Nennstrom (Indukt)	1160 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT	8,0 mm
Bauteillänge SMT	12,5 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound	390 mOhm
Hersteller	NIC Components
Serie Induktivitäten	NPIS_H
Technologie Induktivitäten	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	Reel
Verpackungseinheit	400
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:45 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 400
Mindestmenge (MOQ): 400
WBZ: 22 Wochen

MERKMALSGLEICHE ARTIKEL

Hersteller	Artikelnummer
NIC Components	NPIS27H221MTRF

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	220 uH
Nennstrom (Indukt):	2500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	420 mOhm
Nennstrom (iSat):	2500 mA
Nennstrom (iTemp):	1450 mA
Serie Induktivitäten:	GSDRK
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	220 uH
Nennstrom (Indukt):	1750 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	370 mOhm
Nennstrom (iSat):	4800 mA
Nennstrom (iTemp):	1250 mA
Serie Induktivitäten:	GSDRK
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	220 uH
Nennstrom (Indukt):	1,0 A
Bauform SMT:	4949
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,8 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	350 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	350 mOhm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	DS126C2
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	220 uH
Nennstrom (Indukt):	800 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	400 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	600

AUF LAGER:	0
Induktivität:	220 uH
Nennstrom (Indukt):	1,16 A
Toleranz Induktivität:	±10%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	390 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	400