NIC Components - NFP1008M2R2TR100

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

NFP1008M2R2TR100

Gudeco-Teilenr:

53.61.28

Hersteller:

NIC

Beschreibung

Indukt. SMT (NFP) 1008 (2,5x2,0x0,9mm) 2,2 uH ±20% 100mA -40°C 85°C ungeschirmt 120mOhm Tape&Reel

Induktivität	2,2 uH
Nennstrom (Indukt)	100 mA
Bauform SMT	1008
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT	0,9 mm
Bauteillänge SMT	2,5 mm
Gehäuseschirmung	ungeschirmt
Gleichstromwiderstand	120 mOhm
Hersteller	NIC Components
Nennstrom (iTemp)	100 mA
Serie Induktivitäten	NFP
Technologie Induktivitäten	Multilayer
Temperatur oberer Bereich	85°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	Tape&Reel
Verpackungseinheit	3.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:31 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 3000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 14 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
NIC Components	NFP1008M2R2TR100

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	54.000
Induktivität:	2,2 uH
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	0,9 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	ungeschirmt
Gleichstromwiderstand:	100 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iTemp):	1.3A(Ambient temp.85?) 0.97A(Ambient temp.125?)
Serie Induktivitäten:	LQM
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	3,3 A
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	82 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	3,3 A
Nennstrom (iTemp):	2,3 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	850 mA
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	0,5 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	ungeschirmt
Gleichstromwiderstand:	440 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	0.43A( mAx.) / 0.5A(Typ.)
Nennstrom (iTemp):	0.85A( mAx.) / 1.05A(Typ.)
Serie Induktivitäten:	LQM
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	1,3 A
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	0,7 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	ungeschirmt
Gleichstromwiderstand:	188 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	0.8A( mAx) / 1.0A(Typ.)
Nennstrom (iTemp):	1.3A( mAx) / 1.7A(Typ.)
Serie Induktivitäten:	LQM
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	1,1 A
Bauform SMT:	1008
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	2,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	0,9 mm
Bauteillänge SMT:	2,5 mm
Gehäuseschirmung:	ungeschirmt
Gleichstromwiderstand:	225 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iTemp):	1.1A(Ambient temp.85?) 0.82A(Ambient temp.125?)
Serie Induktivitäten:	LQM
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-55°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000