- GSTM6015P-4R7M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTM6015P-4R7M

Gudeco-Teilenr:

34.84.32

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GDLW) (7,0x6,6x1,3mm) 4,7uH ±20% 5000mA 3800mA -40°C 125°C geschirmt 111mOhm AECQ-200 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	4,7 uH
Nennstrom (Indukt)	5000 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Ja
Bauteilbreite SMT	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT	1,3 mm
Bauteillänge SMT	7,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	111 mOhm
Nennstrom (iSat)	5000 mA
Nennstrom (iTemp)	3800 mA
Serie Induktivitäten	GDLW
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:33 / 2024

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Artikel auf Anfrage

MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 4000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSTM6015P-4R7M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	9000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,2 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	50 mOhm
Nennstrom (iSat):	9000 mA
Nennstrom (iTemp):	5500 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	7000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,6 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	76 mOhm
Nennstrom (iSat):	7000 mA
Nennstrom (iTemp):	4000 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	3800 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	150 mOhm
Nennstrom (iSat):	3800 mA
Nennstrom (iTemp):	2500 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	41 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	4,2 A
Nennstrom (iTemp):	4,2 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	41 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	4,2 A
Nennstrom (iTemp):	4,2 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000