- GSTM6015P-3R3M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTM6015P-3R3M

Gudeco-Teilenr:

34.84.31

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GDLW) (7,0x6,6x1,3mm) 3,3uH ±20% 6000mA 4200mA -40°C 125°C geschirmt 74mOhm AECQ-200 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	3,3 uH
Nennstrom (Indukt)	6000 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Ja
Bauteilbreite SMT	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT	1,3 mm
Bauteillänge SMT	7,0 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	74 mOhm
Nennstrom (iSat)	6000 mA
Nennstrom (iTemp)	4200 mA
Serie Induktivitäten	GDLW
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:33 / 2024

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Artikel auf Anfrage

MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 4000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSTM6015P-3R3M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Nennstrom (Indukt):	10000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,2 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	39 mOhm
Nennstrom (iSat):	10000 mA
Nennstrom (iTemp):	6000 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Nennstrom (Indukt):	9000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,6 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	46 mOhm
Nennstrom (iSat):	9000 mA
Nennstrom (iTemp):	5000 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Nennstrom (Indukt):	4000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	103 mOhm
Nennstrom (iSat):	4000 mA
Nennstrom (iTemp):	3200 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	29 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	5,3 A
Nennstrom (iTemp):	5,4 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	3,3 uH
Bauform SMT:	2726
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,6 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,0 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	29 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	5,3 A
Nennstrom (iTemp):	5,4 A
Serie Induktivitäten:	DFE
Technologie Induktivitäten:	Multilayer
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000