- GSTD4015PJ-R47M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTD4015PJ-R47M

Gudeco-Teilenr:

34.80.95

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSTD) (4,5x4,0x1,4mm) 0,47uH ±20% 9000mA 7500mA -40°C 125°C geschirmt 14,4mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	0,47 uH
Nennstrom (Indukt)	9000 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT	1,4 mm
Bauteillänge SMT	4,5 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	14,4 mOhm
Nennstrom (iSat)	9000 mA
Nennstrom (iTemp)	7500 mA
Serie Induktivitäten	GSTD
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:39 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 6000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSTD4015PJ-R47M
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Artikel auf Anfrage

366-1-004-0-NFX-YT0

52,13 €
pro 100

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,47 uH
Nennstrom (Indukt):	9000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,1 mm
Bauteillänge SMT:	4,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	20 mOhm
Nennstrom (iSat):	9000 mA
Nennstrom (iTemp):	6500 mA
Serie Induktivitäten:	GSTD
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,47 uH
Nennstrom (Indukt):	10000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,8 mm
Bauteillänge SMT:	4,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	12 mOhm
Nennstrom (iSat):	10000 mA
Nennstrom (iTemp):	7000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTD
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,47 uH
Nennstrom (Indukt):	9500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,8 mm
Bauteillänge SMT:	4,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	14 mOhm
Nennstrom (iSat):	9500 mA
Nennstrom (iTemp):	7000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTD
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,47 uH
Nennstrom (Indukt):	9000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,1 mm
Bauteillänge SMT:	4,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	20 mOhm
Nennstrom (iSat):	9000 mA
Nennstrom (iTemp):	6500 mA
Serie Induktivitäten:	GSTD
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,47 uH
Nennstrom (Indukt):	6800 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,1 mm
Bauteillänge SMT:	4,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	21 mOhm
Nennstrom (iSat):	6800 mA
Nennstrom (iTemp):	6000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTD
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000