- GSTD4012PJ-1R0M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSTD4012PJ-1R0M

Gudeco-Teilenr:

34.80.79

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSTD) (4,5x4,0x1,1mm) 1uH ±20% 6330mA 4800mA -40°C 125°C geschirmt 33,6mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	1 uH
Nennstrom (Indukt)	6330 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT	1,1 mm
Bauteillänge SMT	4,5 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	33,6 mOhm
Nennstrom (iSat)	6330 mA
Nennstrom (iTemp)	4800 mA
Serie Induktivitäten	GSTD
Technologie Induktivitäten	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:39 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 6000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSTD4012PJ-1R0M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Nennstrom (Indukt):	7000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,4 mm
Bauteillänge SMT:	4,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	27 mOhm
Nennstrom (iSat):	7000 mA
Nennstrom (iTemp):	5000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTD
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Nennstrom (Indukt):	7000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,8 mm
Bauteillänge SMT:	4,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	27 mOhm
Nennstrom (iSat):	7000 mA
Nennstrom (iTemp):	4500 mA
Serie Induktivitäten:	GSTD
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Nennstrom (Indukt):	5000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,8 mm
Bauteillänge SMT:	4,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	21,5 mOhm
Nennstrom (iSat):	5000 mA
Nennstrom (iTemp):	5000 mA
Serie Induktivitäten:	GSTD
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Nennstrom (Indukt):	5200 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	4,0 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,1 mm
Bauteillänge SMT:	4,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	47 mOhm
Nennstrom (iSat):	5200 mA
Nennstrom (iTemp):	4200 mA
Serie Induktivitäten:	GSTD
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000