- GSDRK127P-220M

PRODUKTINFORMATION

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GSDRK127P-220M

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34.77.92

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GDLW) (12,5x12,5x8,0mm) 22uH ±20% 7700mA 4600mA -40°C 125°C geschirmt 45,8mOhm AECQ-200 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	22 uH
Nennstrom (Indukt)	7700 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Ja
Bauteilbreite SMT	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT	8,0 mm
Bauteillänge SMT	12,5 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	45,8 mOhm
Nennstrom (iSat)	7700 mA
Nennstrom (iTemp)	4600 mA
Serie Induktivitäten	GDLW
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	500
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:34 / 2024

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Artikel auf Anfrage

MENGENINFORMATION

VPE: 500
Mindestmenge (MOQ): 1500
WBZ: 16 Wochen

MERKMALSGLEICHE ARTIKEL

Hersteller	Artikelnummer
	GSDRK127P-220M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Nennstrom (Indukt):	5500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	42 mOhm
Nennstrom (iSat):	6500 mA
Nennstrom (iTemp):	4400 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Nennstrom (Indukt):	2,8 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	36 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	600

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Nennstrom (Indukt):	2,9 A
Bauform SMT:	4949
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,8 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	46 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	46 mOhm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	DS126C2
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	10,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	29 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	250

AUF LAGER:	0
Induktivität:	22 uH
Nennstrom (Indukt):	3,6 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	40 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	400