- GSDRH74P-151M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSDRH74P-151M

Gudeco-Teilenr:

34.77.22

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSDRH) (7,3x7,3x4,5mm) 150uH ±20% 3750mA 460mA -40°C 125°C geschirmt 880mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	150 uH
Nennstrom (Indukt)	460 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT	4,5 mm
Bauteillänge SMT	7,3 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	880 mOhm
Nennstrom (iSat)	3750 mA
Nennstrom (iTemp)	460 mA
Serie Induktivitäten	GSDRH
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	1.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:37 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 1000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSDRH74P-151M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	150 uH
Nennstrom (Indukt):	720 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,55 mm
Bauteillänge SMT:	7,3 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	720 mOhm
Hersteller:	muRataPs
Serie Induktivitäten:	4600
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	150 uH
Nennstrom (Indukt):	580 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,55 mm
Bauteillänge SMT:	7,3 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	1,0 Ohm
Hersteller:	muRataPs
Serie Induktivitäten:	4500
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	150 uH
Nennstrom (Indukt):	600 mA
Bauform SMT:	2929
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT:	5,0 mm
Bauteillänge SMT:	7,3 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	710 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	710 mOhm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	DS75LC
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	150 uH
Nennstrom (Indukt):	430 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	7,3 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,5 mm
Bauteillänge SMT:	7,3 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	1270 mOhm
Nennstrom (iSat):	28 A
Nennstrom (iTemp):	430 mA
Serie Induktivitäten:	GSDRH
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000