- GNR6028P-2R2N

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GNR6028P-2R2N

Gudeco-Teilenr:

34.74.17

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GDLW) (6,2x6,2x2,8mm) 2,2uH ±30% 4200mA 3700mA -40°C 125°C geschirmt 26mOhm AECQ-200 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	2,2 uH
Nennstrom (Indukt)	4200 mA
Toleranz Induktivität	±30%
AEC-Q200 J/N	Ja
Bauteilbreite SMT	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT	2,8 mm
Bauteillänge SMT	6,2 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	26 mOhm
Nennstrom (iSat)	4200 mA
Nennstrom (iTemp)	3700 mA
Serie Induktivitäten	GDLW
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:34 / 2024

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Artikel auf Anfrage

MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 6000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GNR6028P-2R2N

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	2200 mA
Toleranz Induktivität:	±30%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	6,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	100 mOhm
Nennstrom (iSat):	2200 mA
Nennstrom (iTemp):	1800 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	3200 mA
Toleranz Induktivität:	±30%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,0 mm
Bauteillänge SMT:	6,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	44,2 mOhm
Nennstrom (iSat):	3200 mA
Nennstrom (iTemp):	2700 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	6000 mA
Toleranz Induktivität:	±20% , ±30%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,5 mm
Bauteillänge SMT:	6,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	27,3 mOhm
Nennstrom (iSat):	6000 mA
Nennstrom (iTemp):	3500 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	2,2 uH
Nennstrom (Indukt):	7000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,0 mm
Bauteillänge SMT:	6,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	18 mOhm
Nennstrom (iSat):	7000 mA
Nennstrom (iTemp):	5900 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000