- GNR6012P-4R7N

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GNR6012P-4R7N

Gudeco-Teilenr:

34.73.97

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GDLW) (6,2x6,2x1,2mm) 4,7uH ±30% 1600mA 1450mA -40°C 125°C geschirmt 145mOhm AECQ-200 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	4,7 uH
Nennstrom (Indukt)	1600 mA
Toleranz Induktivität	±30%
AEC-Q200 J/N	Ja
Bauteilbreite SMT	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT	1,2 mm
Bauteillänge SMT	6,2 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	145 mOhm
Nennstrom (iSat)	1600 mA
Nennstrom (iTemp)	1450 mA
Serie Induktivitäten	GDLW
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	1.000
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Vsl. verfügbar in KW:34 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 1000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GNR6012P-4R7N

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	2400 mA
Toleranz Induktivität:	±30%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,0 mm
Bauteillänge SMT:	6,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	62,4 mOhm
Nennstrom (iSat):	2400 mA
Nennstrom (iTemp):	2000 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	4700 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,0 mm
Bauteillänge SMT:	6,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	29 mOhm
Nennstrom (iSat):	4700 mA
Nennstrom (iTemp):	4200 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	2700 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,8 mm
Bauteillänge SMT:	6,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	40,3 mOhm
Nennstrom (iSat):	2700 mA
Nennstrom (iTemp):	3000 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	4000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	6,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,5 mm
Bauteillänge SMT:	6,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	40,3 mOhm
Nennstrom (iSat):	4000 mA
Nennstrom (iTemp):	3000 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.000