- GNR5020P-4R7M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GNR5020P-4R7M

Gudeco-Teilenr:

34.73.71

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GNR) (5,2x5,2x2,0mm) 4,7uH ±20% 2000mA 2000mA -40°C 125°C geschirmt 60mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	4,7 uH
Nennstrom (Indukt)	2000 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT	2,0 mm
Bauteillänge SMT	5,2 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	60 mOhm
Nennstrom (iSat)	2000 mA
Nennstrom (iTemp)	2000 mA
Serie Induktivitäten	GNR
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	3.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:40 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 3000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GNR5020P-4R7M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	2,13 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	5,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	45 mOhm
Hersteller:	muRataPs
Serie Induktivitäten:	D53LC
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	1,3 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,0 mm
Bauteillänge SMT:	5,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	100 mOhm
Hersteller:	muRataPs
Serie Induktivitäten:	3400
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Bauform SMT:	2020
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	2,0 mm
Bauteillänge SMT:	5,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	87 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	1140 mA
Nennstrom (iTemp):	1300 mA
Serie Induktivitäten:	D52LC
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Bauform SMT:	2020
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	3,0 mm
Bauteillänge SMT:	5,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	35 mOhm
Hersteller:	muRata
Nennstrom (iSat):	1130 mA
Nennstrom (iTemp):	2180 mA
Serie Induktivitäten:	D53LC
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	4,7 uH
Nennstrom (Indukt):	3300 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	5,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	4,0 mm
Bauteillänge SMT:	5,2 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	37,7 mOhm
Nennstrom (iSat):	3300 mA
Nennstrom (iTemp):	3100 mA
Serie Induktivitäten:	GNR
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	1.200