- GNR2512P-1R0M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GNR2512P-1R0M

Gudeco-Teilenr:

34.72.05

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GDLW) (2,7x2,2x1,2mm) 1uH ±20%,±30% 2700mA 1800mA -40°C 125°C geschirmt 88mOhm AECQ-200 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	1 uH
Nennstrom (Indukt)	2700 mA
Toleranz Induktivität	±20% , ±30%
AEC-Q200 J/N	Ja
Bauteilbreite SMT	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT	1,2 mm
Bauteillänge SMT	2,7 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	88 mOhm
Nennstrom (iSat)	2700 mA
Nennstrom (iTemp)	1800 mA
Serie Induktivitäten	GDLW
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	2.000
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Vsl. verfügbar in KW:33 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 2000
Mindestmenge (MOQ): 6000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GNR2512P-1R0M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Nennstrom (Indukt):	3,8 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	55 mOhm
Nennstrom (iSat):	3,8 A
Nennstrom (iTemp):	3,1 A
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Nennstrom (Indukt):	1800 mA
Toleranz Induktivität:	±20% , ±30%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,0 mm
Bauteillänge SMT:	2,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	85 mOhm
Nennstrom (iSat):	1800 mA
Nennstrom (iTemp):	1900 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	3.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Nennstrom (Indukt):	2550 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	60 mOhm
Nennstrom (iSat):	2550 mA
Nennstrom (iTemp):	2600 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	1 uH
Nennstrom (Indukt):	3450 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	59 mOhm
Nennstrom (iSat):	3450 mA
Nennstrom (iTemp):	3200 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000