- GNR2510P-R47M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GNR2510P-R47M

Gudeco-Teilenr:

34.72.02

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GDLW) (2,7x2,2x1,0mm) 0,47uH ±20%,±30% 2500mA 2650mA -40°C 125°C geschirmt 48mOhm AECQ-200 7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	0,47 uH
Nennstrom (Indukt)	2500 mA
Toleranz Induktivität	±20% , ±30%
AEC-Q200 J/N	Ja
Bauteilbreite SMT	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT	1,0 mm
Bauteillänge SMT	2,7 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	48 mOhm
Nennstrom (iSat)	2500 mA
Nennstrom (iTemp)	2650 mA
Serie Induktivitäten	GDLW
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	3.000
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:33 / 2024

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MENGENINFORMATION

VPE: 3000
Mindestmenge (MOQ): 3000
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GNR2510P-R47M

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AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,47 uH
Nennstrom (Indukt):	5000 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	28 mOhm
Nennstrom (iSat):	5000 mA
Nennstrom (iTemp):	4500 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	SMD Molding Power Choke
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,47 uH
Nennstrom (Indukt):	4500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	39 mOhm
Nennstrom (iSat):	4500 mA
Nennstrom (iTemp):	3900 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,47 uH
Nennstrom (Indukt):	3200 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	41 mOhm
Nennstrom (iSat):	3200 mA
Nennstrom (iTemp):	3700 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000

AUF LAGER:	0
Induktivität:	0,47 uH
Nennstrom (Indukt):	3700 mA
Toleranz Induktivität:	±20% , ±30%
AEC-Q200 J/N:	Ja
Bauteilbreite SMT:	2,2 mm
Bauteilhöhe SMT:	1,2 mm
Bauteillänge SMT:	2,7 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	56 mOhm
Nennstrom (iSat):	3700 mA
Nennstrom (iTemp):	2200 mA
Serie Induktivitäten:	GDLW
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	7" (ø180mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	2.000