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- GSDRK125P-100M

PRODUKTINFORMATION

Herst.- Teilenr.

GSDRK125P-100M

Gudeco-Teilenr:

34.77.48

Hersteller:

GOTREND

Beschreibung

Indukt. SMT (GSDRK) (12,5x12,5x6,0mm) 10uH ±20% 28A 5750mA -40°C 125°C geschirmt 24mOhm 13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping

Induktivität	10 uH
Nennstrom (Indukt)	8000 mA
Toleranz Induktivität	±20%
AEC-Q200 J/N	Nein
Bauteilbreite SMT	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT	6,0 mm
Bauteillänge SMT	12,5 mm
Gehäuseschirmung	geschirmt
Gleichstromwiderstand	24 mOhm
Nennstrom (iSat)	28 A
Nennstrom (iTemp)	5750 mA
Serie Induktivitäten	GSDRK
Technologie Induktivitäten	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich	125°C
Temperatur unterer Bereich	-40°C
Verpackung	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit	500
Für die Vollständigkeit und Richtigkeit der Daten wird keine Haftung übernommen!

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Vsl. verfügbar in KW:35 / 2025

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Artikel auf Anfrage

MENGENINFORMATION

VPE: 500
Mindestmenge (MOQ): 1500
WBZ: 16 Wochen

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Hersteller	Artikelnummer
	GSDRK125P-100M

MERKMALSÄHNLICHE ARTIKEL

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	5,7 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	5,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	18 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	18 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	600

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	11500 mA
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	23,5 mOhm
Nennstrom (iSat):	11,5 A
Nennstrom (iTemp):	6100 mA
Serie Induktivitäten:	GSDRK
Technologie Induktivitäten:	Shielded SMD Assembly Inductor
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	5,4 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	8,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	21 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	21 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	400

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	4,0 A
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,0 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	25 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	25 mOhm
Hersteller:	NIC Components
Serie Induktivitäten:	NPIS_H
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	125°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	Reel
Verpackungseinheit:	600

AUF LAGER:	0
Induktivität:	10 uH
Nennstrom (Indukt):	4,4 A
Bauform SMT:	4949
Toleranz Induktivität:	±20%
AEC-Q200 J/N:	Nein
Bauteilbreite SMT:	12,5 mm
Bauteilhöhe SMT:	6,8 mm
Bauteillänge SMT:	12,5 mm
Gehäuseschirmung:	geschirmt
Gleichstromwiderstand:	23 mOhm
Gleichstromwiderstand Wire Wound:	23 mOhm
Hersteller:	muRata
Serie Induktivitäten:	DS126C2
Technologie Induktivitäten:	Wire Wound
Temperatur oberer Bereich:	85°C
Temperatur unterer Bereich:	-40°C
Verpackung:	13" (ø330mm) Embossed Plastic Taping
Verpackungseinheit:	500